炭化ケイ素ダイオード (SiC ダイオード) は、半導体材料として炭化ケイ素を使用する半導体ダイオードの一種です。SiC ダイオードは、炭化ケイ素の独特な特性により、特定の用途において従来のシリコン ダイオードに比べて大きな利点をもたらします。炭化ケイ素は、優れた熱的、電気的、電子的特性を備えたワイドバンドギャップ半導体材料であり、高出力および高温の用途に適しています。